5月28日，全球碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)迎來了又一重大里程碑,。長飛先進武漢碳化硅生產(chǎn)基地一期項目正式實現(xiàn)通線投產(chǎn),，首片6英寸碳化硅晶圓成功下線,。通線儀式現(xiàn)場嘉賓云集，BOTH核心管理層受邀出席活動,，共同見證了這一歷史性的時刻,。

長飛先進武漢碳化硅生產(chǎn)基地是國內(nèi)第三代半導體領(lǐng)域的標桿項目，總投資額超過200億元,。項目達產(chǎn)后,，預(yù)計每年可生產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓，能夠為144萬輛新能源汽車提供核心部件,，成為全國最大的碳化硅晶圓生產(chǎn)基地,。這一項目的成功投產(chǎn)，有望打破國際壟斷,，填補湖北在高端碳化硅器件制造領(lǐng)域的空白,，為我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展注入強大動力。

（數(shù)據(jù)來源于客戶官微）

BOTH作為該項目的關(guān)鍵參與者,，全面承擔了超20,000㎡潔凈室及關(guān)鍵系統(tǒng)項目的實施,。憑借在高科技產(chǎn)業(yè)受控環(huán)境領(lǐng)域積累的30余年經(jīng)驗與專業(yè)知識，BOTH精準滿足了客戶對生產(chǎn)環(huán)境的嚴格要求,，并與客戶團隊緊密協(xié)作,，確保了項目的高效推進和順利交付。從破土動工到實現(xiàn)量產(chǎn),，長飛先進武漢基地僅用時21個月,，創(chuàng)造了堪比全球頭部晶圓廠的“光谷速度”。同時,，其投產(chǎn)的首款芯片良率高達97%,，達到了國際先進水平。

“我們深感自豪能夠按時,、按預(yù)算地助力客戶實現(xiàn)愿景與目標,。該項目的成功投產(chǎn)，再次彰顯了BOTH在復(fù)雜及先進半導體項目潔凈室系統(tǒng)服務(wù)領(lǐng)域的專業(yè)實力與行業(yè)領(lǐng)導地位,?！?/span>

碳化硅作為第三代半導體材料的杰出代表，憑借其在禁帶寬度,、擊穿電場,、熱導率、電子飽和速率等關(guān)鍵指標上的顯著優(yōu)勢,，能夠滿足高功率,、高電壓、高頻率的應(yīng)用需求，因而在新能源汽車,、5G基站,、光伏儲能等前沿領(lǐng)域的需求呈現(xiàn)出快速增長的態(tài)勢。近年來,，BOTH已為多個碳化硅半導體重大項目提供了高等級潔凈室及關(guān)鍵工藝系統(tǒng)技術(shù)服務(wù),，積累了豐富的實踐經(jīng)驗及業(yè)績紀錄。
展望未來,，BOTH將繼續(xù)緊跟客戶需求,，不斷創(chuàng)新解決方案，提供從設(shè)計,、項目實施到整體交付的全生命周期服務(wù),，助力客戶取得成功，推動碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向高質(zhì)量方向發(fā)展,。